рекомбинация зарядов это процесс когда

 

 

 

 

Процессы генерации и рекомбинации носителей заряда неотъемлемы друг от друга и противоположны по содержанию. Рекомбинация противодействует накоплению носителей, благодаря ей носители имеют конечное время жизни. Скорость рекомбинации носителей заряда R - это число носителей заряда, рекомбинирующих в единичном объеме полупроводника за единицу времени.В состоянии термодинамического равновесия процессы генерации и рекомбинации носителей заряда взаимно уравновешены Рекомбинация - процесс, обратный ионизации. Состоит в захвате ионом свободного электрона.Такой процесс носит название диссоциативной рекомбинации. Естественно, что эффективность нейтрализации зарядов за счет диссоциативной рекомбинации как парного II Рекомбинация. ионов и электронов, образование нейтральных атомов или молекул из свободных электронов и положительных атомных или молекулярных Ионов процесс, обратный ионизации (См. Ионизация). Рекомбинация заряженных частиц. Процесс рекомбинации обратен процессу ионизации. Если при ионизации возникают заряженные частицы, то при рекомбинации заряды частиц взаимно компенсируются. Такой двухступенчатый непрямой, механизм рекомбинации оказывается более вероятным, чем процесс межзонной рекомбинации, рассмотренный выше. Кроме того, за счет выбора типа примесных атомов появляется возможность управлять временем жизни носителей заряда в Обсуждаются основные процессы генерации-рекомбинации носителей заряда в структурах на основе тройного соединения CdHgTe: объемные процессы (излучательная и безизлучательная рекомбинация) и процессы, происходящие на поверхности. Генерация и рекомбинация зарядов. Процесс разрыва ковалентных связей и образования парных носителей заряда (электронов и дырок) при нагреве собственного полупроводника называют термогенерацией носителей, илиЭтот процесс называют рекомбинацией. Но такой процесс рекомбинации маловероятен.В результате исчезает пара носителей заряда. Двухступенчатый процесс рекомбинации более вероятен, так как он не требует одновременного наличия электрона и дырки. Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда в среде с выделением энергии. В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации: межзонная — непосредственный переход электронов в валентную зону Одновременно с генерацией в полупроводнике происходит и обратный процесс рекомбинация носителей заряда (возвращение электрона из зоны проводимости в валентную зону и исчезновение пары носителей заряда ). Величина. остаточного заряда на поверхностях контакта после разделения определяется процессами рекомбинации зарядов.

Рекомбинация зарядов происходит за счет утечки зарядов через омическое сопротивление поверхностей (/о) Рекомбинация зарядов Makarov: charge recombination На Студопедии вы можете прочитать про: Процессы захвата, заряда, прилипания и рекомбинации носителей заряда.2) центры рекомбиинации, когда захваченный носитель имеет большую вероятность рекомбинировать с носителем противоположного знака, чем Основную роль в рекомбинации носителей заряда играют так называемые центры рекомбинации ловушки, имеющие в запрещенной зоне энергетические уровни, способные захватить электроны. Процесс рекомбинации с участием ловушки протекает в две стадии РЕКОМБИНАЦИЯ носителей заряда в полупроводниках - исчезновение пары свободных противоположно заряженных носителей в результатеОднако обычно эти процессы осуществляются непосредственно как прямые переходы зона проводимости - валентная зона. Все это однозначно доказывает, что в полупроводниках происходят процессы рекомбинации носителей, которые не сопровождаются испусканием квантов света.Захват и эмиссия носителей заряда дефектами кристалла. Р. характеризуют коэффициентом Р. а умноженный на произведение концентраций зарядов, он даёт интенсивность Р. (скорость исчезновения заряженных частиц).РЕКОМБИНАЦИЯ, процесс, обратный ионизации, т.е. образование нейтральных частиц из заряженных.

[c.80] Рассмотрим процесс рекомбинации зарядов в жидкостях.Следовательно, рекомбинация зарядов в жидкостях протекает с существенно неодинаковой эффективностью в отличие от газов. В свою очередь, эти время регулируются процессами рекомбинации. Рекомбинация носителей заряда происходит в основном через примесные уровни, так как вероятность захвата электрона на свободный уровень примеси или дефекта (т.е. примесным центром Рекомбинация. ионов и электронов, образование нейтральных атомов или молекул из свободных электронов и положительных атомных или молекулярных Ионов процесс, обратный ионизации (См. Ионизация). Рекомбинация (физика полупроводников). Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда в среде с выделением энергии. В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации: межзонная — непосредственный переход Одновременно с генерацией в полупроводнике непрерывно происходит и обратный процесс рекомбинация носителей заряда, т.е. возвращение электронов из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара носителей заряда. Атом с "дыркой", захватив электрон становится нейтральным - этот процесс называется рекомбинация.Т.е. рекомбинация - это и есть механизм переноса заряда через область p-n перехода. в физике -1) рекомбинация ионов и электронов в ионизованныхгазах и плазме - образование нейтральных атомов и молекул из свободныхэлектронов положительных атомных или молекулярных ионов ( процесс, обратныйионизации)2) Рассмотрим специфику процессов рекомбинации зарядов в аэрозольной плазме. В [26] обращается внимание на возможность значительного возрастания времени жизни аэрозольной плазмы, причем как идеальной, так и неидеальной. Этот процесс, называемый рекомбинацией, включает в себя большое число разных взаимодействий, приводящих к взаимной нейтрализации заряженных частиц. Рекомбинация заряженных частиц определяет ионный состав, степень ионизации и характер распада низкотемпературной плазмы. Процессы такого рода имеют огромную важность в атмосфере, газоразрядной плазме, молекулярных лазерах, лампах высокого давления Процесс рекомбинации сопровождается выделением энергии. Если выделяющаяся энергия излучается в виде фотонов, то рекомбинацию называют фотонной.Ловушки захвата, нейтрализующие захваченные носители заряда, называют ловушками рекомбинации. Процесс рекомбинации в этом случае происходит следующим образом. Поскольку в приповерхностной области сосредоточен положительный объемный заряд, то электрическое поле направлено от поверхности в глубь п/п. Поскольку для равновесных носителей процессы генерации и рекомбинации всегда оказываются уравновешенными (взамен каждой рекомбинирующей пары вследствие термического возбуждения тут же создается новая пара носителей заряда), то обычно сами Наряду с термином «ионизация» часто употребляют термин «генерация», характеризующий тот же самый процесс образования носителей зарядов в газе. Одновременно с процессом ионизации идёт обратный процесс рекомбинации (иначе молизации). Процессом способствующим восстановлению равновесья является рекомбинация.Во втором случае носитель рекомбинирует и в процессах переноса заряда больше не участвует. Скорость рекомбинации измеряется числом носителей заряда, ежесекундно рекомбинирующих в единице объёма полупроводника.Насыщение наступает, когда процесс генерации уравновешивается процессом рекомбинации. Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках - исчезновение пары свободных противоположно заряженных носителей в результатеОднако обычно эти процессы осуществляются непосредственно как прямые переходы зона проводимости - валентная зона. Рассмотрим процесс рекомбинации неравновесных носителей заряда (т. е. при выключении освещения в момент времени t 0). Общее решение уравнения (11.8) довольно сложное. Поэтому рассмотрим два частных случая. После рекомбинации заряда восстанавливается первоначальное распределение электрического поля, и если неоднородность, на которой первоначально возник избыточный заряд, не исчезнет, процесс периодически будет повторяться. Рекомбинация уменьшает число ионов и ионизационный ток в газе. Процесс рекомбинации характеризуется коэффициентом рекомбинации . Он численно равен вероятностиВ объеме газа возникает дополнительный к первичной ионизации источник зарядов. Рекомбинация. В космологии время, в ходе которого заряженные частицы протоны и электроны соединялись, образуя нейтральные атомы водорода.Ситуация изменилась через 380000 лет после Большого взрыва. Начался процесс рекомбинации. Процесс рекомбинации сопровождается выделением энергии. Если выделяющаяся энергия излучается в виде фотонов, то рекомбинацию называют фотонной.Ловушки захвата, нейтрализующие захваченные носители заряда, называют ловушками рекомбинации. Если процесс эмиссии преобладает над процессом рекомбинации, то такие уровни работают как уровни прилипания.Во втором случае носитель рекомбинирует и в процессах переноса заряда больше не участвует. Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках - исчезновение пары свободных противоположно заряженных носителей в результатеОднако обычно эти процессы осуществляются непосредственно как прямые переходы зона проводимости - валентная зона. Под рекомбинацией заряженных частиц понимают столкновение носителей противоположного знака, приводящее к их взаимной нейтрализации.При рекомбинации двух противоположных зарядов их полная внутренняя энергия уменьшается, то есть процесс идет с выделением Процесс рекомбинации сводится к следующей последовательности переходов. Нейтральная ловушка захватывает электрон из зоны проводимости, приобретая отрицательный заряд (переход 1), а затем электрон с уровня ловушки переходит в валентную зону Генерация и рекомбинация носителей заряда. Свободные носители заряда в полупроводниках образуются в результате отрыва электронов от собственных или примесных атомов. Этот процесс называется генерацией носителей и на энергетической диаграмме В состоянии термодинамического равновесия процессы генерации и рекомбинации носителей заряда взаимно уравновешены.Время жизни при этом оказывается постоянным, а количество носителей заряда, рекомбинировавших в единицу времени в единице объема Обратный процесс возвращения электронов из зоны проводимости в валентную зону называют процессом рекомбинации носителей заряда.- скорость рекомбинации (число носителей заряда, рекомбинированных в 1 см3 за 1 с). В жилых и промышленных зданиях напряженность СЭП экранирована, приток электронов снижен и процессы рекомбинации зарядов затруднены, следовательно, ускорено разрушение самого вещества организма. процесс рекомбинация носителей заряда, т. е. возвращение электронов из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара носителей заряда.

Количество носителей заряда, рекомбинирующих в единицу времени в. Одновременно с процессом генерации протекает процесс рекомбинации носителей. Из-за постоянного протекания процессов генерации и рекомбинации носителей зарядов при заданной температуре в полупроводнике устанавливается равновесное состояние, при котором

Полезное:


 

 

 

© 2018